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米エヌビディアと米シスコは10月12日、AIデータセンター向けの新しい光トランシーバ規格「USFP」を発表した。1レーンあたり400Gb/sの電気信号に対応する着脱式モジュールで、200Gb/s/レーン品と比べて帯域密度は4倍、電力効率は約1.3倍という。TE Connectivityなどと供給網を築き、オープン仕様化も計画する。
400Gb/s/レーン光モジュール、各社の動き（出典：各社発表、報道をもとに作成）
米エヌビディアと米シスコは10月12日（時刻不明）、AIデータセンター向けの新しい光トランシーバ（光モジュール）の規格「USFP（Ultra-Dense Small Form Factor Pluggable）」を発表した。
1レーンあたり400Gb/sの電気信号に対応する初のモジュールを目指す、高密度の着脱式（プラガブル）光モジュールという。AIモデルの大規模化や推論需要の拡大で、データセンターではより多くのコンピューティング機器をつなぐ必要が生じている。スイッチの容量が上限に達すると、スイッチの階層や光リンクを増やすことになり、遅延、消費電力、コストが膨らむ。USFPはそれを避ける狙いで設計したとしている。
最初に計画するUSFPのモジュールは、OSFP（オクタル・スモール・フォームファクタ・プラガブル）と同じ大きさの筐体に、全二重16レーンを収める。スイッチとSuperNICの両方に使え、全体で12.8Tb/sの容量を実現できるという。将来は32レーン以上への拡張も見込む。
200Gb/s/レーンの着脱式モジュールと比べると、帯域とフロントパネルの帯域密度は4倍、電力効率は約1.3倍になる。同じネットワークの設置面積のままAIの規模を広げつつ、AI工場の電力予算に占めるネットワークの割合を減らせるという。新しい2次元アレイコネクタを採用し、2段階の挿入方式で接点の摩耗を抑える。モジュール内に専用の冷却回路を設けなくても、最大100ワットの消費電力に対応できるとしている。
両社はTE ConnectivityおよびAmphenolと、USFPのケージ、コネクタ、モジュールを開発する。今後、ほかのパートナーも加わる見通し。あわせて、コミュニティー主導のマルチソースプロジェクトを通じて、USFPのオープンな業界仕様をつくる計画も明らかにした。既存の協業を土台にするという。
エヌビディアのギラッド・シャイナー上級副社長は「世界最大のAI工場づくりは、最も小さな接続を見直すことから始まる」と述べた。シスコのビル・ガートナー上級副社長（光システム・光学部門担当）は「シリコンやシステムから光、ネットワークOSまでを一体で最適化する」と説明した。製品の出荷時期や価格は、発表では示されていない。
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